IRFB3207PBF ist ein einfacher n-Kanal-Leistungs-MOSFET in HEXFET®-Technologie, der ein verbessertes Gate-, Avalanche- und dynamisches dV/dt-Verhalten bietet. Der Baustein eignet sich für die Synchrongleichrichtung mit hohem Wirkungsgrad in Schaltnetzteilen sowie für hart schaltende und Hochfrequenzschaltungen.