Name: Mosfet Vishay / Siliconix SI2314EDS-T1-E3
SKU: 138
Price: 0.40 EUR
Availability: InStock

Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFET
RoHS:	Details
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TO-236-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	20 V
Id - Drain-Gleichstrom:	3.77 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	33 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 12 V, + 12 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	950 mV
Qg - Gate-Ladung:	11 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	750 mW
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	TrenchFET
Serie:	SI2
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Vishay / Siliconix
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	5.9 us
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	40 S
Produkt-Typ:	MOSFET
Anstiegszeit:	1.4 us
	3000
Unterkategorie:	MOSFETs
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	13.5 us
Typische Einschaltverzögerungszeit:	0.53 us
Artikel # Aliases:	SI2314EDS-E3
Gewicht pro Stück:	8 mg