Bipolarer Einzeltransistor NPN, 65 V, 100 mA ONSEMI BC846BLT1G
Bipolarer Einzeltransistor NPN, 65 V, 100 mA ONSEMI BC846BLT1G
Bipolarer Einzeltransistor NPN, 65 V, 100 mA ONSEMI BC846BLT1G

Bipolarer Einzeltransistor NPN, 65 V, 100 mA ONSEMI BC846BLT1G

Art.Nr.:
147
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Beschreibung
BC846BLT1G ist ein 65V-NPN-Silizium-Bipolartransistor, der für die Verwendung in linearen Anwendungen und Schaltanwendungen entwickelt wurde. Der Baustein eignet sich für Niederspannungs-SMD-Anwendungen, zum ESD-Schutz, zum Verpolungsschutz, zum Schutz von Datenleitungen sowie zum Schutz von induktiven Lasten und Steuerlogik.
  • Halogen-/BFR-frei
  • ESD-Schutz: >4000V HBM, >400V MM
  • Kollektor-Basis-Spannung (VCBO): 80V
  • Emitter-Basis-Spannung (VEBO): 6V
  • Wärmewiderstand zwischen Sperrschicht und Umgebung: 556°C/W

Anwendungen

Industrie, Power-Management, Sicherheit

Hinweise

Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab